产品应用
产品介绍
武汉延旌科技致力于为客户提供各种III-V族化合物半导体外延片，主要产品包括GaAs基和InP基的外延片产品。
InP基外延片
InGaAs APD
因具有高增益、高灵敏度和高探测率等优点，雪崩探测器（APD）在微弱光信号探测领域有重要应用，其主要应用市场包括光通讯和激光雷达。
APD的生长对掺杂和扩散深度的控制要求极高。分子束外延技术（MBE）能精确控制薄膜的生长厚度和掺杂组分，这使其成为APD外延片的首选生长方法。
InP基外延片
InP HBT
由于具有良好的增益、带宽和线性度等优点，InP基异质结双极晶体管(HBT)在高频功率放大器领域有较好的应用，其主要市场在高速光纤通讯领域，如40G和100G。
GaAs基外延片
GaAs pHEMT
因具有低噪声和极快开关速度等优点，GaAs基pHEMT被广泛应用于高速射频器件，射频开关是pHEMT的主要应用市场。基于pHMET设计的电路可用于高速通讯如光纤通讯、无线局域网、点对点微波通讯、数字电视等。此外，由于其速度快和击穿电压高，GaAs基pHEMT也可用于毫米波功率放大器。
行业应用
通信
物联网
智慧医疗
智能驾驶